Samsung dévoile une puce de nouvelle génération taillée pour l’IA
Samsung a récemment présenté sa puce V10 BV-NAND, une avancée significative dans le domaine du stockage, capable d’empiler plus de 400 couches de mémoire flash. Cette innovation vise à répondre aux besoins croissants des systèmes et applications d’intelligence artificielle.
L’intelligence artificielle génère des volumes de données en constante augmentation, ce qui pousse les fabricants de solutions de stockage à innover. Avec la puce V10 BV-NAND, Samsung franchit un cap en dépassant les 400 couches empilées, par rapport aux 286 de la génération précédente, V9. Cette nouvelle architecture permet une augmentation de la densité de stockage d’environ 58 %.
Lors du salon Future of Memory and Storage (FMS), la société a souligné que la V10 BV-NAND est conçue pour l’ère de l’intelligence artificielle, intégrant une mémoire flash NAND verticale de 10e génération. L’architecture BV-NAND repose sur une technologie d’assemblage de plaquettes innovante, faisant de Samsung le premier acteur du secteur à adopter ce type de conception.
En termes de performance, la puce V10 BV-NAND offre des améliorations notables en lecture, écriture et entrées-sorties (E/S), tout en consommant moins d’énergie. Elle est spécifiquement conçue pour supporter les charges de travail intensives en IA, notamment dans les centres de données, et répond ainsi aux besoins des serveurs d’intelligence artificielle.
Cette puce anticipe les exigences des futurs systèmes et applications d’IA, qui deviennent de plus en plus complexes et gourmands en ressources. Bien que Samsung n’ait pas encore annoncé de date de commercialisation pour la V10 BV-NAND, il est prévu qu’elle soit lancée avant l’arrivée des puces flash NAND V11, attendues en 2027.
Source : Samsung
