Des chercheurs ont récemment développé une nouvelle approche pour contrôler des structures helimagnétiques complexes à l’aide de l’électricité, ouvrant la voie à des dispositifs de mémoire magnétique avancés et à des applications spintroniques plus efficaces.
Traditionnellement, les technologies de mémoire magnétique et les dispositifs spintroniques manipulent des structures magnétiques relativement simples, comme les ferromagnétiques, où tous les moments magnétiques sont alignés dans la même direction. Cependant, l’intérêt croissant des chercheurs se porte sur le contrôle de systèmes magnétiques plus complexes, tels que les structures helimagnétiques, qui pourraient offrir une densité d’information plus élevée et une efficacité améliorée.
Une étude publiée en novembre 2023 dans la revue Materials Today souligne que les dispositifs spintroniques ont permis une augmentation de 10 000 fois de la capacité de stockage des disques durs depuis l’introduction de la tête de lecture à spin-valve en 1997. Cette avancée a été rendue possible grâce à l’exploitation du « spin » de l’électron, permettant de dépasser les dispositifs basés sur la charge électrique. (sciencedirect.com)
Plus récemment, en mai 2026, des chercheurs de l’Université de Tokyo ont développé un dispositif de mémoire spintronique non volatile capable de changer d’état en seulement 40 picosecondes, soit 1 000 fois plus rapidement que la DRAM traditionnelle. Ce dispositif utilise un matériau antiferromagnétique, le Mn₃Sn, et des impulsions électriques ou optiques ultrarapides pour inverser son état magnétique via le couple spin-orbite, sans générer de chaleur significative. Cette technologie pourrait révolutionner l’efficacité énergétique et la réactivité des systèmes informatiques, notamment pour les centres de données dédiés à l’intelligence artificielle. (tomshardware.com)
Ces avancées ouvrent la voie à des dispositifs de mémoire magnétique avancés et à des applications spintroniques plus efficaces, en exploitant des structures magnétiques complexes pour améliorer la densité d’information et l’efficacité énergétique.
Highlights:
- Laser-driven spintronic memory device switches 1,000 times faster than DRAM -non-volatile device switches in 40 picoseconds while generating almost no heat, publié le Wednesday, May 20
